早在19世紀(jì)開(kāi)始人們就開(kāi)始了對(duì)電容器的研究，并且先后出現(xiàn)了以各種材料作為介質(zhì)的電容器，如薄膜電容、云母電容器、電解電容器和陶瓷電容器等。近年來(lái)，隨著電子工業(yè)的飛速發(fā)展，高壓陶瓷電容器的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。
陶瓷電容器不僅可以耐高溫、耐腐蝕，而且有較高的介電常數(shù)，這對(duì)當(dāng)前集成電路對(duì)電容器小型化、高容量的要求是很適宜的。電容器的性能直接取決于陶瓷介質(zhì)的性能，材料介電常數(shù)越大，抗電強(qiáng)度越高，則小型化程度越好。因此制造廠家在圍繞提高瓷料性能和發(fā)展新材料方面競(jìng)相在積極開(kāi)展工作。
人們開(kāi)發(fā)出使用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O的方法制成陶瓷電容，這種做法的陶瓷電容介電常數(shù)高，但損耗大。雖然介電常數(shù)高對(duì)于減小電容器的尺寸極為有利，但損耗大將會(huì)引起瓷片發(fā)熱，從而導(dǎo)致電容器的擊穿。
陶瓷電容器的介質(zhì)損耗主要由三部分組成:
1、玻璃相中的電導(dǎo)損耗這部分損耗主要是由玻璃中的離子引起的電導(dǎo)損耗。
2、晶相中的損耗它主要是由于晶界附近的晶格容易產(chǎn)生畸變和晶格問(wèn)題，因而產(chǎn)生弱聯(lián)系離子造成松池?fù)p耗。
3、結(jié)構(gòu)不均勻性導(dǎo)致的附加夾層損耗。要降低電容器的介質(zhì)損耗，主要是減小弱聯(lián)系離子和弱束縛電子，目前的技術(shù)仍在研究發(fā)展著。
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