我們知道陶瓷電容是指用高介電常數的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成的電容器，它分為高頻瓷介和低頻瓷介兩種。而陶瓷電容是會受到熱循環影響的，那么受熱循環影響之后的損耗角正切值D會怎樣變化呢？
以102陶瓷電容為例做實驗，在熱循環試驗(周期為300秒)下，經不同次數熱循環后，102陶瓷電容的室溫損耗角正切值D如下圖所示。
在熱循環試驗(周期為300秒)下，102陶瓷電容的耗角正切值D隨循環次數的變化曲線如下，在熱循環制度三中，陶瓷電容的損耗角正切值D與熱循環次數呈線性函數變化關系。
從上面的實驗可以看出：陶瓷電容在熱循環降溫階段，隨著溫度的下降，其損耗角正切D值D是單調遞增的;在加熱階段，隨著溫度的升高，其損耗角正切值D是單調遞減的。隨著熱循環次數的增加，陶瓷電容器的損耗角正切值D是增加的，其變化符合線性函數的變化規律。
如您還有其它技術上的疑問可聯系我們，我們竭力為您解決。東莞市智旭電子制造安規電容，獨石電容，壓敏電阻，薄膜電容，更多品質電容盡在JEC。可以免費提供樣品測試，期待您的蒞臨。以上資訊來自東莞市智旭電子有限公司研發部提供，更多資訊請大家移步至網站中智旭資訊中獲取。
